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    > IGBT散熱 > 文章正文

    IGBT模塊的損耗特性

    IGBT元件的損耗總和分為:通態損耗與開關損耗。開關損耗分別為開通損耗(EON)和關斷損耗(EOFF)之和送彩金38满100提现_无需存款注册秒送18元。另外,內置續流二極管的損耗為導通損耗與關斷(反向恢復)損耗(ERR)之和。 EON、EOFF、ERR與開關頻率的乘積為平均損耗。
    IGBT的損耗:
    IGBT的損耗
    續流二極管的反向恢復損耗:
    續流二極管的反向恢復損耗
    反向恢復損耗 ERR
    開關特性的測試:
    開關特性的測試
    PDMB100B12開通損耗EON測量范例:
    PDMB100B12開通損耗EON測量范例
    PDMB100B12關斷損耗EOFF測量范例:
    PDMB100B12關斷損耗EOFF測量范例
    1200V B系列開通損耗 EON (Tj= 125℃)送彩金38满100提现_无需存款注册秒送18元,有關門極系列阻抗RG請參閱技術規格送彩金38满100提现_无需存款注册秒送18元。
    1200V B系列開通損耗 EON (Tj= 125℃)
    1200V B系列關斷損耗 Eoff (Tj=125C),有關門極系列阻抗RG請參閱技術規格。
    1200V B系列關斷損耗 Eoff (Tj=125C)
    1200V B系列續流二極管反向恢復損耗 ERR(Tj= 125℃),有關門極系列阻抗RG請參閱技術規格。
    1200V B系列續流二極管反向恢復損耗 ERR
    1200V B系列ERR對門極串聯電阻RG依存性(Tj= 125℃)
    1200V B系列ERR對門極串聯電阻RG依存性

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