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    FF200R12KS4英飛凌IGBT模塊

    產品作用和性能:
    英飛凌FF200R12KS4 是英飛凌公司專門針對高頻應用領域而開發發行的62mmC-Series模塊,在變頻器中的應用實現了系統的高效率和小型化送彩金38满100提现_无需存款注册秒送18元,其開關頻率在20~50kHz的應用場合能發揮最大優良特性 。而在典型情況下, IGBT模塊的優化,所針對的載波頻率卻是10kHz或更低送彩金38满100提现_无需存款注册秒送18元。通常,在IGBT/FWD芯片的通態壓降和開關損耗之間有一個折衷關系。高速模塊在進行性能折衷時,是讓通態電壓偏大,以換取偏低的開關功耗,從而能在高頻應用中實現最低的總功耗。其在醫療應用送彩金38满100提现_无需存款注册秒送18元、電機傳動送彩金38满100提现_无需存款注册秒送18元、諧振逆變器應用、伺服驅動器送彩金38满100提现_无需存款注册秒送18元、UPS系統作為高頻開關使用。
    英飛凌IGBT模塊FF200R12KS4 
    英飛凌IGBT模塊FF200R12KS4
    上海菱端電子科技有限公司www.busyfamilymeals.com常備FF200R12KS4大量現貨,價格從優,歡迎聯系采購及技術支持。
     


    英飛凌FF200R12KS4機械特性 :
    • 封裝的CTI>400 
    • 高爬電距離和電氣間隙 
    • 絕緣的基板 
    • 銅基板
    • 標封裝

    英飛凌FF200R12KS4 基本參數:IGBT模塊,1200V/200A DUAL
     
    英飛凌FF200R12KS4 外形封裝尺寸和結構圖
     
    英飛凌FF200R12KS4 外形封裝尺寸和結構圖
     
    英飛凌FF200R12KS4 產品參數:
     
    產品種類: IGBT 模塊
    產品: IGBT Silicon Modules
    品牌和型號 英飛凌FF200R12KS4
    配置: Dual
    集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
    集電極—射極飽和電壓: 3.2 V
    在25 C的連續集電極電流: 275 A
    柵極—射極漏泄電流: 400 nA
    功率耗散: 1.4 kW
    最大工作溫度: + 125 C
    封裝 / 箱體: 62 mm
    商標: Infineon Technologies
    柵極/發射極最大電壓: +/- 20 V
    最小工作溫度: - 40 C
    安裝風格: Screw
    產品價格和中英文資料 聯系我們咨詢和索取
    每盒數量: 10
     
    英飛凌FF200R12KS4  等效電路
    英飛凌FF200R12KS4  等效電路
     
    英飛凌FF200R12KS4 IGBT模塊受損原因分析
     
     IGBT的安全可靠與否主要由以下因素決定:
      --IGBT柵極與發射極之間的電壓;
      --IGBT集電極與發射極之間的電壓;
      --流過IGBT集電極-發射極的電流;
      --IGBT的結溫。
      如果IGBT柵極與發射極之間的電壓,即驅動電壓過低,則IGBT不能穩定正常地工作,如果過高超過柵極-發射極之間的耐壓則IGBT可能永久性損壞;同樣,如果加在IGBT集電極與發射極允許的電壓超過集電極-發射極之間的耐壓,流過IGBT集電極-發射極的電流超過集電極-發射極允許的最大電流送彩金38满100提现_无需存款注册秒送18元,IGBT的結溫超過其結溫的允許值,IGBT都可能會永久性損壞。
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