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    SiC‐SBD 的可靠性

    5.1 dV/dt 破壞、 dI/dt 破壞
    當施加較大的dV/dt 時送彩金38满100提现_无需存款注册秒送18元,SiC‐SBD 的周邊結構就會被破壞,這種破壞模式已經在其他公司的以往產品中得到印證送彩金38满100提现_无需存款注册秒送18元,但是根據目前為止的調查送彩金38满100提现_无需存款注册秒送18元,ROHM 的SBD 即使在50kV/us 左右的狀態下動作也不會發生這種破壞模式。文章來源:http://www.busyfamilymeals.com/
    另外,Si‐FRD 在di/dt 較大的情況下送彩金38满100提现_无需存款注册秒送18元,存在因恢復電流Irr 變大而電流集中從而導致破壞的破壞模式送彩金38满100提现_无需存款注册秒送18元。而SiC‐SBD 的恢復電流非常小,所以難以發生這種破壞模式。
    5.2 SiC‐SBD 的可靠性測試結果

    根據規格書中記載的電氣特性來進行故障判定。
    Failure criteria: According to the electrical characteristics specified by the specification.
    關于可焊性測試送彩金38满100提现_无需存款注册秒送18元,判定標準是焊料覆蓋面積≥95%。
    Regarding solderability test, failure criteria is 95% or more area covered with solder.
    樣品標準:采用可靠性水平90%,故障失效水平λ1=10%,C=0的判定,根據MIL-STD-19500的指數分布型計數一次抽樣表送彩金38满100提现_无需存款注册秒送18元,采用22個樣本。


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