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    > IGBT DC-Link > 文章正文

    IGBT尖峰電壓吸收電容

    由于IGBT主回路母排有雜散電感存在,當關斷IGBT的時候,集電極-發射極電流會快速下降,電感的特性是電流不能瞬變,會產生感應電動勢送彩金38满100提现_无需存款注册秒送18元,形成尖峰電壓:
    尖峰電壓計算公式
    這些尖峰電壓的方向與直流母線電壓方VDC-link一致送彩金38满100提现_无需存款注册秒送18元,疊加在母線上會導致VCE>VCEmax送彩金38满100提现_无需存款注册秒送18元,就有可能會損害IGBT。
    IGBT關斷時刻集射極電壓
    這就需要一定的措施抑制尖峰電壓的大小,除了在IGBT驅動器上采用一定的措施如有源鉗位等進行電壓鉗位外送彩金38满100提现_无需存款注册秒送18元,還需要在直流母線兩端添加吸收電容送彩金38满100提现_无需存款注册秒送18元。這好比添加了一個低通濾波器,會吸收掉尖峰電壓送彩金38满100提现_无需存款注册秒送18元。
    加裝吸收電容時,容量及電容選型也很重要,吸收電容也需要優化:
    􀂋錯誤的吸收電容并不能吸收掉尖峰電壓
    􀂋直流母排有雜散電感的話就會產生振蕩
    錯誤的吸收電路或吸收電容不夠時的波形
    沒有足夠的吸收電容
    下圖的這些電容并不能像吸收電容那樣安全工作:
    不適合做吸收的電容
    􀂉不同的供應商,有不同的吸收電容
    􀂉在老化和故障測試中,就能選出最優的吸收電容
    􀂉選擇雜散電感較小的吸收電容
    IGBT模塊尖峰電壓常用吸收電容形式
    優化之后:
    􀂋很明顯的尖峰電壓減小
    􀂋沒有振蕩
    優化的吸收電容后電壓波形
    減小過壓的吸收電容電路有以下幾種方式:
    IGBT應用基本電路
    吸收電路的幾種形式
    計算吸收電容:
    母排雜散電感和吸收電容雜散電感的影響
    母排和吸收電容雜散電感造成的尖峰電壓
    吸收電容計算公式
    􀂋iC= 運行電流
    􀂋diC/dt= 關斷
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